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MUN5312DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363
数字晶体管
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：22 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：22 千欧
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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MUN5312DW1T1G
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ON(安森美)
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SC-88/SC70-6/SOT-363
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3000+:￥0.18824 1+:￥0.2132 |
3503 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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MUN5312DW1T1G
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安森美(onsemi)
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SOT-363
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30000+:￥0.1991 6000+:￥0.215 3000+:￥0.2263 800+:￥0.3168 200+:￥0.4526 10+:￥0.7367 |
3504 |
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油柑网
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MUN5312DW1T1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6
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1000+:￥0.2107 100+:￥0.2274 1+:￥0.2431 |
3523 |
2208
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现货最快4H发
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京北通宇
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MUN5312DW1T1G
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ON(安森美)
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6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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1500+:￥0.2665 200+:￥0.3055 110+:￥0.4745 |
3504 |
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3天-15天
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唯样商城
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MUN5312DW1T1G
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ON(安森美)
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SOT-363
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100+:￥0.265 20+:￥0.275 5+:￥0.28 |
25 |
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立即发货
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 22 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 22 千欧 |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 300µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |