MUN5311DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363
¥0.158
27,395
数字晶体管
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,电阻器 - 基极 (R1):10 千欧,电阻器 - 发射极 (R2):10 千欧
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MUN5311DW1T1G
ON(安森美)
SC-88/SC70-6/SOT-363

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1+:¥0.179

7519

25+
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MUN5311DW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.16432

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MUN5311DW1T1G
安森美(onsemi)
SOT-363

30000+:¥0.1738

6000+:¥0.1876

3000+:¥0.1975

800+:¥0.2765

100+:¥0.395

20+:¥0.6122

10486

-
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ON(安森美)
SOT-363

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MUN5311DW1T1G
ON(安森美)
6-TSSOP,SC-88,SOT-363

3000+:¥0.237

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130+:¥0.4147

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3天-15天
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ON(安森美)
SOT-363

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1+:¥0.33176

10829

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1-3工作日
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onsemi(安森美)
SOT-363

10000+:¥0.11

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500+:¥0.12

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MUN5311DW1T1G
ON SEMICONDUCTOR
SC-70-6

1+:¥0.3019

6

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MUN5311DW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

2000+:¥0.3425

1000+:¥0.3589

500+:¥0.382

100+:¥0.4314

20+:¥0.4808

5+:¥0.5302

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 基极 (R1) 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2) 10 千欧
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 35 @ 5mA,10V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 250mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363