MUN5235DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363
¥0.118
14,454
数字晶体管
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,电阻器 - 基极 (R1):2.2 千欧,电阻器 - 发射极 (R2):47 千欧
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
MUN5235DW1T1G
ON(安森美)
SC-88/SC70-6/SOT-363

3000+:¥0.118

1+:¥0.133

2701

23+
立即发货
MUN5235DW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.12272

1+:¥0.13832

2700

23+
1-2工作日发货
MUN5235DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363

600+:¥0.1248

200+:¥0.1486

20+:¥0.1915

2320

-
立即发货
MUN5235DW1T1G
安森美(onsemi)
SOT-363

30000+:¥0.1298

6000+:¥0.1402

3000+:¥0.1475

800+:¥0.2065

200+:¥0.295

10+:¥0.4573

2701

-
MUN5235DW1T1G
ON(安森美)
6-TSSOP,SC-88,SOT-363

1500+:¥0.1995

220+:¥0.2295

2701

-
3天-15天

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 基极 (R1) 2.2 千欧
电阻器 - 发射极 (R2) 47 千欧
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 250mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363