MUN5214DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363
¥0.1372
222,433
数字晶体管
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,电阻器 - 基极 (R1):10 千欧,电阻器 - 发射极 (R2):47 千欧
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MUN5214DW1T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-363

1000+:¥0.1372

100+:¥0.1441

1+:¥0.148

16585

2249
现货最快4H发
MUN5214DW1T1G
ON(安森美)
SC-88/SC70-6/SOT-363

3000+:¥0.147

1+:¥0.166

65303

24+
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MUN5214DW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.15288

1+:¥0.17264

65301

24+
1-2工作日发货
MUN5214DW1T1G
安森美(onsemi)
SOT-363

30000+:¥0.1777

6000+:¥0.1918

3000+:¥0.2019

800+:¥0.2827

200+:¥0.4038

10+:¥0.6259

2411

-
MUN5214DW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.1922

1200+:¥0.1941

600+:¥0.1961

100+:¥0.2192

10+:¥0.2812

2378

-
立即发货
MUN5214DW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.2205

1500+:¥0.249

200+:¥0.2865

130+:¥0.3848

65303

-
3天-15天
MUN5214DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363

300+:¥0.2552

100+:¥0.2973

10+:¥0.3814

2740

-
立即发货
数字晶体管 MUN5214DW1T1G SOT-363(MUN5214DW1T1G)
onsemi(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.484

1000+:¥0.629

20+:¥0.726

1+:¥1.21

2412

20+/21+
MUN5214DW1T1G
ON Semiconductor
SOD-523,SOT-323-6,SOT-363

3000+:¥0.15

500+:¥0.1665

150+:¥0.1915

50+:¥0.2253

5+:¥0.251

5950

2437+
1工作日
MUN5214DW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.156

1500+:¥0.1768

200+:¥0.20176

1+:¥0.31408

65333

--
1-3工作日
MUN5214DW1T1G
ON(安森美)
SOD-523,SOT-323-6,SOT-363

60000+:¥0.1617

45000+:¥0.1628

3000+:¥0.165

1500+:¥0.187

200+:¥0.2134

1+:¥0.3322

65348

24+
2-4工作日
MUN5214DW1T1G
On Semiconductor/Fairchild
SOD-523,SOT-323-6,SOT-363

3000+:¥0.1774

1000+:¥0.1819

500+:¥0.1867

100+:¥0.375

5848

-
3-6工作日
MUN5214DW1T1G
onsemi(安森美)
SOD-523,SOT-323-6,SOT-363

100+:¥0.2844

1505

-
6-8工作日
MUN5214DW1T1G
On Semiconductor/Fairchild
SOD-523,SOT-323-6,SOT-363

425+:¥0.621

255+:¥0.6844

85+:¥0.744

76323

-
14-18工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 基极 (R1) 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2) 47 千欧
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 250mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363