MUN5211DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363
¥0.14
264,524
数字晶体管
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,电阻器 - 基极 (R1):10 千欧,电阻器 - 发射极 (R2):10 千欧
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MUN5211DW1T1G
ON(安森美)
SC-88/SC70-6/SOT-363

3000+:¥0.14

1+:¥0.158

9882

2年内
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MUN5211DW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.1456

1+:¥0.16432

66876

25+
1-2工作日
MUN5211DW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.1456

1+:¥0.16432

870

2年内
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MUN5211DW1T1G
安森美(onsemi)
SOT-363

30000+:¥0.154

6000+:¥0.1662

3000+:¥0.175

800+:¥0.245

100+:¥0.35

20+:¥0.5425

10270

-
MUN5211DW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.16693

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10+:¥0.17825

167722

25+
现货
MUN5211DW1T1G
ON SEMICONDUCTOR
SC-70-6

1000+:¥0.196

100+:¥0.2127

1+:¥0.2274

5459

2243
现货最快4H发
数字晶体管 MUN5211DW1T1G SOT-363(MUN5211DW1T1G)
onsemi(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.239

500+:¥0.243

100+:¥0.279

10+:¥0.355

1808

22+/23+
MUN5211DW1T1G
ON(安森美)
6-TSSOP,SC-88,SOT-363

200+:¥0.273

140+:¥0.3679

877

-
3天-15天
MUN5211DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363

300+:¥0.2793

100+:¥0.3146

10+:¥0.3852

760

-
立即发货
MUN5211DW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.17264

1500+:¥0.19552

200+:¥0.22464

1+:¥0.34632

30922

--
1-3工作日
MUN5211DW1T1G
On Semiconductor/Fairchild
30000,SOT-23,SOT-363

30000+:¥0.1737

15000+:¥0.1782

9000+:¥0.1842

3000+:¥0.1888

15000

-
3-5工作日
MUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
30000,SOT-23,SOT-363

3000+:¥0.175

500+:¥0.1883

150+:¥0.2095

50+:¥0.2481

5+:¥0.2978

2054

2509+
1工作日
MUN5211DW1T1G
ON(安森美)
30000,SOT-23,SOT-363

60000+:¥0.1793

45000+:¥0.1804

3000+:¥0.1826

1500+:¥0.2068

200+:¥0.2376

1+:¥0.3663

30922

25+
2-4工作日
MUN5211DW1T1G
On Semiconductor/Fairchild
30000,SOT-23,SOT-363

3000+:¥0.1801

1000+:¥0.1847

500+:¥0.1895

100+:¥0.375

9673

-
3-6工作日
MUN5211DW1T1G
On Semiconductor/Fairchild
30000,SOT-23,SOT-363

24000+:¥0.2006

6000+:¥0.204

3000+:¥0.2074

1+:¥0.2125

63174

25+
3-5工作日
MUN5211DW1T1G
onsemi(安森美)
30000,SOT-23,SOT-363

1000+:¥0.2668

5186

-
6-8工作日
MUN5211DW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

100+:¥0.212

20+:¥0.22

5+:¥0.224

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 基极 (R1) 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2) 10 千欧
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 35 @ 5mA,10V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 250mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363