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MUN5111DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363
数字晶体管
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：10 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：10 千欧
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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MUN5111DW1T1G
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onsemi(安森美)
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SOT-363
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6000+:￥0.1401 3000+:￥0.148 500+:￥0.1637 150+:￥0.1833 50+:￥0.2582 5+:￥0.3835 |
295 |
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MUN5111DW1T1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SC-70-6
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1000+:￥0.2548 100+:￥0.2793 1+:￥0.3136 |
2372 |
2208
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现货最快4H发
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京北通宇
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MUN5111DW1T1G
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ON(安森美)
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SOT-363
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2000+:￥0.2353 1000+:￥0.2456 500+:￥0.2601 100+:￥0.291 20+:￥0.322 5+:￥0.3529 |
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华秋商城
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MUN5111DW1T1G
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安森美(onsemi)
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SOT-363
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30000+:￥0.3195 6000+:￥0.3449 3000+:￥0.3631 800+:￥0.3639 100+:￥0.3952 20+:￥0.404 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 300µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |