MMUN2132LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0746
15,498
数字晶体管
晶体管类型:PNP - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,电阻器 - 基极 (R1):4.7 kOhms,电阻器 - 发射极 (R2):4.7 kOhms
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MMUN2132LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.0746

6000+:¥0.0806

3000+:¥0.0848

800+:¥0.1187

100+:¥0.1696

20+:¥0.2629

9082

-
MMUN2132LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

100+:¥0.1069

1+:¥0.1147

14325

2120
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MMUN2132LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.11

1+:¥0.124

1699

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MMUN2132LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.1144

1+:¥0.12896

1697

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MMUN2132LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.1259

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200+:¥0.1798

20+:¥0.224

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 基极 (R1) 4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2) 4.7 kOhms
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 15 @ 5mA,10V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 246 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3