MMUN2114LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.1248
4,096
数字晶体管
晶体管类型:PNP - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms,电阻器 - 发射极 (R2):47 kOhms
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MMUN2114LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.12

1+:¥0.136

3567

25+
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MMUN2114LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.1248

1+:¥0.14144

559

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MMUN2114LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

300+:¥0.1556

100+:¥0.18

10+:¥0.2289

2970

-
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MMUN2114LT1G
ON(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

220+:¥0.234

567

-
3天-15天
MMUN2114LT1G
ON(安森美)
SOT-23

50000+:¥0.0797

30000+:¥0.082

10000+:¥0.0859

5000+:¥0.0898

500+:¥0.0975

50+:¥0.1091

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MMUN2114LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1+:¥0.1186

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现货最快4H发
MMUN2114LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

600+:¥0.1625

200+:¥0.195

20+:¥0.2925

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 基极 (R1) 10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2) 47 kOhms
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 246 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3