MMUN2113LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.11232
29,731
数字晶体管
晶体管类型:PNP - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,电阻器 - 基极 (R1):47 kOhms,电阻器 - 发射极 (R2):47 kOhms
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MMUN2113LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1000+:¥0.101

100+:¥0.1088

1+:¥0.1167

4840

2312
现货最快4H发
MMUN2113LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.108

1+:¥0.122

9508

23+
立即发货
MMUN2113LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.11232

1+:¥0.12688

9505

23+
1-2工作日发货
MMUN2113LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.1188

6000+:¥0.1283

3000+:¥0.135

800+:¥0.189

100+:¥0.27

20+:¥0.4185

9508

-
MMUN2113LT1G
ON(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

3000+:¥0.162

1500+:¥0.183

240+:¥0.21

9508

-
3天-15天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 基极 (R1) 47 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2) 47 kOhms
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 246 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3