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MMDT5551DW
CBI(创基)
SOT-363
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：200mW
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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MMDT5551DW
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CBI(创基)
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SOT-363
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21000+:￥0.1018 9000+:￥0.109 3000+:￥0.1224 600+:￥0.1719 200+:￥0.1977 20+:￥0.2441 |
31580 |
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立创商城
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cbi/香港创基
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9000+:￥0.1035 6000+:￥0.1062 3000+:￥0.108 |
240000 |
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3-7工作日
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云汉芯城
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3000+:￥0.0989 1500+:￥0.1032 600+:￥0.1101 200+:￥0.1187 50+:￥0.1273 10+:￥0.1376 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 200mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 160V |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |