MMDT5401DW
CBI(创基)
SOT-363
¥0.0912
37,610
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):150V,耗散功率(Pd):300mW
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MMDT5401DW
CBI(创基)
SOT-363

9000+:¥0.0912

6000+:¥0.0984

3000+:¥0.1119

300+:¥0.1419

100+:¥0.1677

10+:¥0.2142

37610

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MMDT5401DW
CBI(创基)
SOT-363

3000+:¥0.0989

1500+:¥0.1032

600+:¥0.1101

200+:¥0.1187

50+:¥0.1273

10+:¥0.1376

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
集电极电流(Ic) 600mA
集射极击穿电压(Vceo) 150V
耗散功率(Pd) 300mW