MMDT3946DW
CBI(创基)
SOT-363
¥0.0707
1,540
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN+PNP,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):200mW
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MMDT3946DW
CBI(创基)
SOT-363

21000+:¥0.0707

9000+:¥0.0757

3000+:¥0.0851

600+:¥0.1069

200+:¥0.1249

20+:¥0.1573

1540

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MMDT3946DW
cbi/香港创基
SOT-363

9000+:¥0.0782

6000+:¥0.0802

3000+:¥0.0816

240000

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3-7工作日
MMDT3946DW
CBI(创基)
SOT-363

3000+:¥0.0536

1+:¥0.0675

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MMDT3946DW
创基(CBI)
SOT-363

30000+:¥0.059

6000+:¥0.0637

3000+:¥0.067

800+:¥0.0938

100+:¥0.134

20+:¥0.2077

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MMDT3946DW
CBI(创基)
SOT-363

3000+:¥0.0672

1500+:¥0.0701

600+:¥0.0747

200+:¥0.0806

50+:¥0.0864

10+:¥0.0934

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN+PNP
集电极电流(Ic) 200mA
集射极击穿电压(Vceo) 40V
耗散功率(Pd) 200mW