MMDT3904DW
CBI(创基)
SOT-363
¥0.0615
26,590
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):200mW
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MMDT3904DW
CBI(创基)
SOT-363

21000+:¥0.0615

9000+:¥0.0664

3000+:¥0.0755

600+:¥0.0975

200+:¥0.1149

20+:¥0.1462

9640

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MMDT3904DW
CBI(创基)
SOT-363

9000+:¥0.06308

3000+:¥0.07172

600+:¥0.09262

200+:¥0.10915

20+:¥0.13889

15000

241113
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MMDT3904DW
CBI(创基)
SOT-363

3000+:¥0.0717

1200+:¥0.0917

600+:¥0.0926

50+:¥0.1389

1950

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MMDT3904DW
CBI(创基)
SOT-363

3000+:¥0.05652

600+:¥0.06153

200+:¥0.06496

20+:¥0.07214

15000

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MMDT3904DW
CBI(创基)
SOT-363

3000+:¥0.0542

1+:¥0.0684

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 200mA
集射极击穿电压(Vceo) 40V
耗散功率(Pd) 200mW