MMDT3052DW
CBI(创基)
SOT-363
¥0.07632
2,650
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):150mW
厂家型号
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MMDT3052DW
CBI(创基)
SOT-363

9000+:¥0.0763

6000+:¥0.0815

3000+:¥0.0919

300+:¥0.1067

100+:¥0.124

10+:¥0.1586

2650

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MMDT3052DW
CBI(创基)
SOT-363

3000+:¥0.138

1500+:¥0.144

600+:¥0.1536

200+:¥0.1656

50+:¥0.1776

10+:¥0.192

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 200mA
集射极击穿电压(Vceo) 50V
耗散功率(Pd) 150mW