MMDT2227M-7
DIODES(美台)
SOT-26
¥0.49608
9,896
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA,电压 - 集射极击穿(最大值):40V,60V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA,电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)
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MMDT2227M-7
DIODES(美台)
SOT26

3000+:¥0.477

1+:¥0.511

3142

2年内
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MMDT2227M-7
Diodes(美台)
SOT-23-6

3000+:¥0.49608

1+:¥0.53144

3134

2年内
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MMDT2227M-7
美台(DIODES)
SOT-26

30000+:¥0.5247

6000+:¥0.5665

3000+:¥0.5963

800+:¥0.8348

100+:¥1.1926

20+:¥1.9409

3142

-
MMDT2227M-7
Diodes(达尔)
SOT-26

1500+:¥0.5621

200+:¥0.6182

60+:¥0.8954

3142

-
3天-15天
MMDT2227M-7
DIODES(美台)
SOT-26

150+:¥0.6957

50+:¥0.7925

5+:¥1.0182

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 600mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 40V,60V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 10nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 150mA,10V
功率 - 最大值 300mW
频率 - 跃迁 300MHz,200MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6