MMBZ33VALT1G
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.1248
130,548
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
配置:1 对共阳极,电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 26 V
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封装
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MMBZ33VALT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.12

1+:¥0.136

57238

25+
立即发货
MMBZ33VALT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.1248

1+:¥0.14144

36230

25+
1-2工作日发货
MMBZ33VALT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.1261

24000

24+
1-3工作日发货
MMBZ33VALT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

9000+:¥0.1318

6000+:¥0.1404

3000+:¥0.1576

300+:¥0.181

100+:¥0.21

10+:¥0.2681

26050

-
立即发货
MMBZ33VALT1G
ON(安森美)
SOT-23

30000+:¥0.1332

6000+:¥0.1438

3000+:¥0.1514

800+:¥0.212

100+:¥0.3028

20+:¥0.4928

712

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
配置 1 对共阳极
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 33 V
容差 ±5%
功率 - 最大值 300 mW
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 50 nA @ 26 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 900 mV @ 10 mA
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3