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MMBTH10LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，电压 - 集射极击穿（最大值）：25V，频率 - 跃迁：650MHz，功率 - 最大值：225mW，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：60 @ 4mA，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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MMBTH10LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.18 1+:￥0.203 |
3614 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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MMBTH10LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.1872 1+:￥0.21112 |
3608 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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MMBTH10LT1G
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安森美(onsemi)
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SOT-23
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30000+:￥0.198 6000+:￥0.2138 3000+:￥0.225 800+:￥0.315 100+:￥0.45 20+:￥0.7324 |
3614 |
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油柑网
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MMBTH10LT1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-23
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1000+:￥0.2245 100+:￥0.2421 1+:￥0.2588 |
1462 |
2202
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现货最快4H发
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京北通宇
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MMBTH10LT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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300+:￥0.2475 100+:￥0.2874 10+:￥0.3672 |
2030 |
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立即发货
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 25V |
| 频率 - 跃迁 | 650MHz |
| 功率 - 最大值 | 225mW |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 60 @ 4mA，10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |