MMBTH10-7-F
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.158
0
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电压 - 集射极击穿(最大值):25V,频率 - 跃迁:650MHz,功率 - 最大值:300mW,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):60 @ 4mA,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
MMBTH10-7-F
Diodes Incorporated
SOT-23-3

1500+:¥0.5109

800+:¥0.5268

2400

-
10-15工作日
MMBTH10-7-F
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.158

1+:¥0.179

0

-
立即发货
MMBTH10-7-F
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.1738

6000+:¥0.1876

3000+:¥0.1975

800+:¥0.2765

200+:¥0.395

10+:¥0.6429

0

-
MMBTH10-7-F
DIODES(美台)
SOT-23

60000+:¥0.1796

0

-
立即发货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电压 - 集射极击穿(最大值) 25V
频率 - 跃迁 650MHz
功率 - 最大值 300mW
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 60 @ 4mA,10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 50mA
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3