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MMBTH10-4LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，电压 - 集射极击穿（最大值）：25V，频率 - 跃迁：800MHz，功率 - 最大值：225mW，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 4mA，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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MMBTH10-4LT1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-23-3，TO-236
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24000+:￥0.2576 12000+:￥0.2714 6000+:￥0.2806 3000+:￥0.2875 |
15000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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MMBTH10-4LT1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-23-3，TO-236
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1500+:￥0.8083 750+:￥0.8336 |
7550 |
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10-15工作日
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云汉芯城
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MMBTH10-4LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.203 1+:￥0.229 |
0 |
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立即发货
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圣禾堂
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MMBTH10-4LT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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30+:￥0.9582 10+:￥1.0618 1+:￥1.3035 |
1 |
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立即发货
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 25V |
| 频率 - 跃迁 | 800MHz |
| 功率 - 最大值 | 225mW |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 4mA，10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |