MMBTA55LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.147
3,970
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
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MMBTA55LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1000+:¥0.149

100+:¥0.1608

1+:¥0.1725

1356

2236
现货最快4H发
MMBTA55LT1G
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SOT-23

9000+:¥0.15

6000+:¥0.1597

3000+:¥0.179

300+:¥0.2088

100+:¥0.241

10+:¥0.3053

990

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MMBTA55LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

1500+:¥0.188

300+:¥0.211

100+:¥0.234

10+:¥0.382

1500

23+/24+
MMBTA55LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.147

1+:¥0.166

30

22+
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MMBTA55LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.15288

1+:¥0.17264

24

22+
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MMBTA55LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.1617

6000+:¥0.1746

3000+:¥0.1838

800+:¥0.2573

100+:¥0.3676

20+:¥0.5983

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MMBTA55LT1G
ON(安森美)
SOT-23

40+:¥0.2841

10+:¥0.287

40

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MMBTA55LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.15288

1500+:¥0.17264

200+:¥0.19864

1+:¥0.30784

32

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1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 60 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 100mA,1V
功率 - 最大值 225 mW
频率 - 跃迁 50MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3