MMBTA55-7-F
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.148
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三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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MMBTA55-7-F
DIODES(美台)
SOT23

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1+:¥0.168

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MMBTA55-7-F
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.15392

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19117

2年内
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美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.1628

6000+:¥0.1757

3000+:¥0.185

800+:¥0.259

100+:¥0.37

20+:¥0.5736

19124

-
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Diodes(达尔)
SOT-23

3000+:¥0.222

1500+:¥0.252

200+:¥0.2895

130+:¥0.3887

19124

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DIODES INCORPORATED

1+:¥0.274

74

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MMBTA55-7-F
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.156

1500+:¥0.1768

200+:¥0.2028

1+:¥0.31408

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MMBTA55-7-F
DIODES(美台)
SOT-23

3000+:¥0.1636

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 60 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 100mA,1V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 50MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3