MMBTA42LT1G
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.0908
1,679,770
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):300 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 2mA,20mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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MMBTA42LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

21000+:¥0.0908

9000+:¥0.098

3000+:¥0.1114

600+:¥0.1347

200+:¥0.1604

20+:¥0.2066

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MMBTA42LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.09152

1+:¥0.11544

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MMBTA42LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

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1000+:¥0.09543

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100+:¥0.09883

10+:¥0.10005

641238

25+
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MMBTA42LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1000+:¥0.098

100+:¥0.1059

1+:¥0.1137

24023

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MMBTA42LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.09968

300810

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 300 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 2mA,20mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 40 @ 30mA,10V
功率 - 最大值 225 mW
频率 - 跃迁 50MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3