MMBTA05LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.13104
406,068
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
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MMBTA05LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.128

1+:¥0.145

71395

25+
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MMBTA05LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.13104

1+:¥0.14768

68169

25+
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MMBTA05LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.13467

168000

25+
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MMBTA05LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1+:¥0.1372

13100

2248
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MMBTA05LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.1386

6000+:¥0.1497

3000+:¥0.1575

800+:¥0.2205

100+:¥0.315

20+:¥0.4883

68171

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 60 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 100mA,1V
功率 - 最大值 225 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3