MMBT6520LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.2912
8,159
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):350 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
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MMBT6520LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.2912

1+:¥0.32864

1937

25+
1-2工作日发货
MMBT6520LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.308

6000+:¥0.3325

3000+:¥0.35

800+:¥0.49

100+:¥0.7

20+:¥1.1393

2263

-
MMBT6520LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

300+:¥0.3217

100+:¥0.3566

10+:¥0.4262

210

-
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三极管(晶体管) MMBT6520LT1G 2ZM SOT-23 30-200(MMBT6520LT1G)
onsemi(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.396

1000+:¥0.515

100+:¥0.594

20+:¥0.999

827

22+
MMBT6520LT1G
ON(安森美)
SOT-23

1500+:¥0.4108

200+:¥0.4732

90+:¥0.6215

1943

-
3天-15天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 350 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 1V @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 20 @ 50mA,10V
功率 - 最大值 225 mW
频率 - 跃迁 200MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3