MMBT6429LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0974
2
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
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渠道
MMBT6429LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

1000+:¥0.1197

200+:¥0.1241

20+:¥0.1333

81

21+
4-7工作日
MMBT6429LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

1500+:¥0.3561

800+:¥0.3668

100+:¥0.378

2700

-
10-15工作日
MMBT6429LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.0974

1+:¥0.123

0

-
立即发货
MMBT6429LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

84000+:¥0.1088

0

-
立即发货
MMBT6429LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23 (TO-236)

1000+:¥0.1225

100+:¥0.1294

1+:¥0.1363

2

2117
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 200 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 45 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 500 @ 100µA,5V
功率 - 最大值 225 mW
频率 - 跃迁 700MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3