MMBT6428LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.159
34,869
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
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MMBT6428LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.159

1+:¥0.18

8505

2年内
立即发货
MMBT6428LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.16536

1+:¥0.1872

8504

2年内
1-2工作日发货
MMBT6428LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.1749

6000+:¥0.1889

3000+:¥0.1988

800+:¥0.2783

200+:¥0.3976

10+:¥0.6471

8505

-
MMBT6428LT1G
ON(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

3000+:¥0.2385

200+:¥0.2691

120+:¥0.4173

8505

-
3天-15天
MMBT6428LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

300+:¥0.2581

100+:¥0.2935

10+:¥0.3643

850

-
立即发货
MMBT6428LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.17056

1500+:¥0.1924

200+:¥0.22048

1+:¥0.3432

12651

--
1-3工作日
MMBT6428LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3,TO-236

60000+:¥0.176

45000+:¥0.1782

3000+:¥0.1804

1500+:¥0.2035

200+:¥0.2332

1+:¥0.363

12651

25+
2-4工作日
MMBT6428LT1G
ON Semiconductor
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.182

500+:¥0.2015

150+:¥0.2259

50+:¥0.2648

5+:¥0.2988

6309

2432+
1工作日
MMBT6428LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

30000+:¥0.2185

3000+:¥0.2266

1000+:¥0.3

100+:¥0.375

46914

22+
3-5工作日
MMBT6428LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1000+:¥0.1774

100+:¥0.1921

1+:¥0.2049

0

-
现货最快4H发
MMBT6428LT1G
ON(安森美)
SOT-23

2000+:¥0.281

1000+:¥0.2936

500+:¥0.3113

100+:¥0.3493

20+:¥0.3873

5+:¥0.4252

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-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 200 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 250 @ 100µA,5V
功率 - 最大值 225 mW
频率 - 跃迁 700MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3