MMBT5551W
CBI(创基)
SOT-323
¥0.035
31,824
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):200mW
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MMBT5551W
CBI(创基)
SOT-323

3000+:¥0.035

1+:¥0.0441

5040

25+
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MMBT5551W
CBI(创基)
SOT-323

3000+:¥0.03588

1+:¥0.04524

5034

25+
1-2工作日发货
MMBT5551W
CBI(创基)
SOT-323

3000+:¥0.0612

1500+:¥0.077

490+:¥0.1026

5040

-
3天-15天
MMBT5551W
CBI(创基)
SOT-323

21000+:¥0.0651

9000+:¥0.0673

3000+:¥0.0713

600+:¥0.076

200+:¥0.0837

20+:¥0.0977

16700

-
立即发货
MMBT5551W
CBI(创基)
SOT-323

3000+:¥0.0646

1500+:¥0.0674

600+:¥0.0719

200+:¥0.0775

50+:¥0.0831

10+:¥0.0899

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 600mA
集射极击穿电压(Vceo) 160V
耗散功率(Pd) 200mW