MMBT5551T
CBI(创基)
SOT-523
¥0.03962
54,558
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):200mW
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MMBT5551T
CBI(创基)
SOT-523

3000+:¥0.0385

1+:¥0.0485

8913

25+
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MMBT5551T
CBI(创基)
SOT-523

3000+:¥0.03962

1+:¥0.04992

8547

25+
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MMBT5551T
创基(CBI)
SOT-523

30000+:¥0.0419

6000+:¥0.0452

3000+:¥0.0476

800+:¥0.0666

100+:¥0.0952

20+:¥0.1476

8813

-
MMBT5551T
CBI(创基)
SOT-523

51000+:¥0.0523

24000+:¥0.056

6000+:¥0.0627

3000+:¥0.0704

500+:¥0.0885

50+:¥0.1118

25950

-
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MMBT5551T
CBI(创基)
SOT-523

3000+:¥0.0669

1200+:¥0.0832

600+:¥0.0841

50+:¥0.1062

2435

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 600mA
集射极击穿电压(Vceo) 160V
耗散功率(Pd) 200mW