MMBT5551LT3G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.12317
29,566
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):160 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
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MMBT5551LT3G
ON(安森美)
SOT-23

5000+:¥0.1232

2500+:¥0.13

1000+:¥0.1379

500+:¥0.1548

50+:¥0.1718

5+:¥0.1887

12063

-
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MMBT5551LT3G
onsemi(安森美)
SOT-23

5000+:¥0.1328

1000+:¥0.1497

300+:¥0.1708

100+:¥0.1989

10+:¥0.2552

5440

-
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MMBT5551LT3G
安森美(onsemi)
SOT-23

100000+:¥0.1355

20000+:¥0.1463

10000+:¥0.154

1000+:¥0.1547

100+:¥0.1889

20+:¥0.1918

12063

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 600 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 160 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 200mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V
功率 - 最大值 225 mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3