MMBT5551
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.048453
50,166
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):300mW
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MMBT5551
BORN(伯恩半导体)
SOT-23

51000+:¥0.0485

24000+:¥0.0518

6000+:¥0.058

3000+:¥0.0701

500+:¥0.0854

50+:¥0.1086

41400

-
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MMBT5551
伯恩半导体(BORN)
SOT-23

30000+:¥0.0554

6000+:¥0.0599

3000+:¥0.063

800+:¥0.0882

100+:¥0.126

20+:¥0.2051

3658

-
MMBT5551
BORN(伯恩)
SOT-23

3000+:¥0.0666

1200+:¥0.0803

600+:¥0.0811

50+:¥0.1032

1200

-
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MMBT5551
BORN(伯恩)
SOT-23

3000+:¥0.0756

1500+:¥0.0953

330+:¥0.153

3658

-
3天-15天
MMBT5551
BORN
SOT-23

1+:¥0.0794

250

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现货最快4H发
MMBT5551
BORN/深圳伯恩半导体
SOT-23

51000+:¥0.0484

24000+:¥0.051

6000+:¥0.058

3000+:¥0.069

500+:¥0.0848

50+:¥0.107

29800

2502+
1工作日
MMBT5551
BORN/深圳伯恩半导体
SOT-23

9000+:¥0.0495

6000+:¥0.0507

3000+:¥0.0516

3000000

25+
5-10工作日
MMBT5551
BORN(伯恩半导体)
SOT-23

60000+:¥0.0557

45000+:¥0.0562

3000+:¥0.0564

1500+:¥0.0711

200+:¥0.1142

1+:¥0.3416

4868

25+
2-5工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 600mA
集射极击穿电压(Vceo) 160V
耗散功率(Pd) 300mW