MMBT5551
MDD(辰达行)
SOT-23
¥0.0319
376,841
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):300mW
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MMBT5551
辰达半导体(MDD)
SOT-23

30000+:¥0.0319

6000+:¥0.0344

3000+:¥0.0362

800+:¥0.0507

100+:¥0.0724

20+:¥0.1122

228897

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MMBT5551
MDD(辰达半导体)
SOT-23

51000+:¥0.0377

24000+:¥0.0402

6000+:¥0.0447

3000+:¥0.0499

500+:¥0.0615

50+:¥0.0772

105750

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MMBT5551
MDD(辰达半导体)
SOT-23-3

3000+:¥0.03827

1+:¥0.04819

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MMBT5551
MDD
SOT-23

1+:¥0.0392

297

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SOT-23-3

20+:¥0.04186

144

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 600mA
集射极击穿电压(Vceo) 160V
耗散功率(Pd) 300mW