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MMBT5451DW
CBI(创基)
SOT-363
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN+PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：200mW
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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MMBT5451DW
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CBI(创基)
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SOT-363
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3000+:￥0.0831 1+:￥0.105 |
2259 |
24+
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圣禾堂
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MMBT5451DW
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CBI(创基)
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SOT-363
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3000+:￥0.08642 1+:￥0.1092 |
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24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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MMBT5451DW
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CBI(创基)
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SOT-363
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21000+:￥0.0905 9000+:￥0.0977 3000+:￥0.111 600+:￥0.1408 200+:￥0.1664 20+:￥0.2125 |
1760 |
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立创商城
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MMBT5451DW
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创基(CBI)
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SOT-363
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30000+:￥0.0914 6000+:￥0.0987 3000+:￥0.1039 800+:￥0.1455 100+:￥0.2078 20+:￥0.3382 |
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油柑网
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1500+:￥0.1575 200+:￥0.2505 100+:￥0.5522 |
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3天-15天
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唯样商城
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3000+:￥0.138 1500+:￥0.144 600+:￥0.1536 200+:￥0.1656 50+:￥0.1776 10+:￥0.192 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN+PNP |
| 集电极电流(Ic) | 200mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 160V |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |