MMBT5401LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.07754
2,282,602
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):150 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
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MMBT5401LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.07754

1000+:¥0.07898

500+:¥0.08042

100+:¥0.08179

10+:¥0.0828

375861

24+
现货
MMBT5401LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.0815

1+:¥0.103

232752

25+
立即发货
MMBT5401LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

21000+:¥0.083

9000+:¥0.0867

3000+:¥0.0924

600+:¥0.1374

200+:¥0.1562

20+:¥0.1985

124580

-
立即发货
MMBT5401LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.08476

1+:¥0.10712

196044

25+
1-2工作日发货
MMBT5401LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.09007

642537

24+25+
1-3工作日发货
MMBT5401LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.09007

666537

25+24+
1-3工作日发货
MMBT5401LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.0932

1200+:¥0.1386

300+:¥0.1576

20+:¥0.2003

7066

-
立即发货
MMBT5401LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

100+:¥0.0939

1+:¥0.1049

2077

2238
现货最快4H发
MMBT5401LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.0951

6000+:¥0.1027

3000+:¥0.1081

800+:¥0.1513

100+:¥0.2162

20+:¥0.3519

943

-
MMBT5401LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.09607

1037

24+
1-3工作日发货
MMBT5401LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.09693

1000+:¥0.09873

500+:¥0.10053

100+:¥0.10224

10+:¥0.1035

44187

24+
现货
MMBT5401LT1G
ON(安森美)
SOT-23

5000+:¥0.112

2000+:¥0.115

500+:¥0.12

300+:¥0.13

100+:¥0.14

1+:¥0.15

7066

-
立即发货
MMBT5401LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.1223

1500+:¥0.1545

210+:¥0.246

196300

-
3天-15天
MMBT5401LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.136

500+:¥0.185

100+:¥0.207

20+:¥0.249

16028

22+/23+
MMBT5401LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

500+:¥0.17934

100+:¥0.19526

20+:¥0.21118

2339

2112
现货
MMBT5401LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.0858

1500+:¥0.10816

200+:¥0.17264

1+:¥0.51896

92175

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1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 150 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 60 @ 10mA,5V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 300MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3