MMBT5088LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.15288
135,539
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 1mA,10mA,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
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MMBT5088LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.147

1+:¥0.166

43859

2年内
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MMBT5088LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.15288

1+:¥0.17264

43832

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MMBT5088LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.1617

6000+:¥0.1746

3000+:¥0.1838

800+:¥0.2573

100+:¥0.3676

20+:¥0.5697

43838

-
MMBT5088LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23 (TO-236)

1000+:¥0.1813

100+:¥0.196

1+:¥0.2098

1691

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MMBT5088LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.2205

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200+:¥0.2865

130+:¥0.3848

43838

-
3天-15天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 50 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 30 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 300 @ 100µA,5V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 50MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3