MMBT5087LT1G
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.1
204,573
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 1mA,10mA,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
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MMBT5087LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.1

1+:¥0.127

48858

2年内
立即发货
MMBT5087LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.104

1+:¥0.13208

48185

2年内
1-2工作日发货
MMBT5087LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.12126

39900

24+
1-3工作日发货
MMBT5087LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.127

6000+:¥0.1371

3000+:¥0.1443

800+:¥0.202

100+:¥0.2886

20+:¥0.4473

1974

-
MMBT5087LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.15

1500+:¥0.1905

200+:¥0.2613

80+:¥0.6655

48188

-
3天-15天
MMBT5087LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

21000+:¥0.1619

9000+:¥0.1747

3000+:¥0.1985

600+:¥0.2642

200+:¥0.31

20+:¥0.3924

10280

-
立即发货
MMBT5087LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1000+:¥0.1666

100+:¥0.1745

1+:¥0.1813

933

2323
现货最快4H发
MMBT5087LT1G
ON(安森美)
SOT-23

600+:¥0.1761

100+:¥0.2008

10+:¥0.25

572

-
立即发货
MMBT5087LT1G
onsemi(安森美)
SOT23

500+:¥0.285

100+:¥0.32

30+:¥0.39

10+:¥0.46

5683

17+/18+
MMBT5087LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

150000+:¥0.1027

75000+:¥0.1027

15000+:¥0.1027

3000+:¥0.1027

120000

-
3-5工作日
MMBT5087LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.11232

1500+:¥0.12688

200+:¥0.14664

1+:¥0.22672

52465

--
1-3工作日
MMBT5087LT1G
ON Semiconductor
SOT-23-3,TO-236

6000+:¥0.113

3000+:¥0.1204

500+:¥0.1307

150+:¥0.1477

50+:¥0.1797

5+:¥0.2236

10382

2452+
1工作日
MMBT5087LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3,TO-236

60000+:¥0.1188

45000+:¥0.1199

3000+:¥0.121

1500+:¥0.1364

200+:¥0.1584

1+:¥0.2431

52465

25+
2-4工作日
MMBT5087LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

24000+:¥0.1299

12000+:¥0.1322

6000+:¥0.1344

3000+:¥0.1366

30000

24+
3-5工作日
MMBT5087LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.1801

1000+:¥0.1847

500+:¥0.1895

100+:¥0.375

27883

-
3-6工作日
MMBT5087LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

450+:¥0.552

270+:¥0.6136

90+:¥0.672

24626

-
14-18工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 50 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 250 @ 100µA,5V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 40MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3