MMBT4403LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.05522
911,180
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):750mV @ 50mA,500mA,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,2V
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MMBT4403LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.0531

1+:¥0.0669

311596

25+
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MMBT4403LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.05522

1+:¥0.06958

296107

25+
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MMBT4403LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

21000+:¥0.0583

9000+:¥0.063

3000+:¥0.0716

600+:¥0.1105

200+:¥0.127

20+:¥0.1567

68000

-
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MMBT4403LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1000+:¥0.0598

100+:¥0.0637

1+:¥0.0657

17957

2508
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MMBT4403LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.06004

73794

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 600 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 40 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 750mV @ 50mA,500mA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 150mA,2V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 200MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3