MMBT3906LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0367
2,410,040
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,50mA,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V
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MMBT3906LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

51000+:¥0.0367

24000+:¥0.0396

6000+:¥0.0449

3000+:¥0.0511

500+:¥0.0703

50+:¥0.0888

38700

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MMBT3906LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1000+:¥0.0383

100+:¥0.0416

1+:¥0.0451

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2412
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MMBT3906LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

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1+:¥0.04909

16172

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MMBT3906LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

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MMBT3906LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.04244

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24+25+
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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 200 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 40 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 400mV @ 5mA,50mA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 10mA,1V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 250MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3