MMBT3904TT1G
onsemi(安森美)
SOT-416
¥0.041778
223,399
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA,50mA,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
MMBT3904TT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-416

1000+:¥0.0418

100+:¥0.0437

1+:¥0.0446

141679

2207
现货最快4H发
MMBT3904TT1G
ON(安森美)
SOT-416

3000+:¥0.05044

69286

22+
1-3工作日发货
MMBT3904TT1G
ON(安森美)
SOT-416

30000+:¥0.0533

6000+:¥0.0576

3000+:¥0.0606

800+:¥0.0848

100+:¥0.1212

20+:¥0.1879

5607

-
现货
MMBT3904TT1G
安森美(onsemi)
SOT-523

30000+:¥0.0533

6000+:¥0.0576

3000+:¥0.0606

800+:¥0.0848

100+:¥0.1212

20+:¥0.1879

5607

-
MMBT3904TT1G
onsemi(安森美)
SOT-416

300+:¥0.1112

100+:¥0.1542

10+:¥0.2404

720

-
立即发货

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 200 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 40 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 5mA,50mA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 10mA,1V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 300MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-75,SOT-416