MMBT3904T
CBI(创基)
SOT-523
¥0.0315
29,137
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):150mW
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MMBT3904T
CBI(创基)
SOT-523-3

3000+:¥0.0315

1+:¥0.0397

3106

24+
立即发货
MMBT3904T
CBI(创基)
SOT-523-3

3000+:¥0.03276

1+:¥0.04129

3101

24+
1-2工作日发货
MMBT3904T
创基(CBI)
SOT-523-3

30000+:¥0.0352

6000+:¥0.038

3000+:¥0.04

800+:¥0.056

100+:¥0.0824

20+:¥0.1304

3106

-
MMBT3904T
CBI(创基)
SOT-523

51000+:¥0.046

24000+:¥0.049

6000+:¥0.0547

3000+:¥0.0611

500+:¥0.0802

50+:¥0.0997

14100

-
立即发货
MMBT3904T
CBI(创基)
SOT-523-3

3000+:¥0.0559

1500+:¥0.0704

540+:¥0.0939

3106

-
3天-15天
MMBT3904T
CBI(创基)
SOT-523-3

3000+:¥0.0572

1200+:¥0.0746

600+:¥0.0753

50+:¥0.0938

1309

-
立即发货
MMBT3904T
CBI(创基)
SOT-523-3

30+:¥0.0938

1309

-
立即发货
MMBT3904T
CBI/香港创基
SOT-523

141000+:¥0.0385

9000+:¥0.0396

3000+:¥0.0408

3000

24+
1工作日
MMBT3904T
cbi/香港创基
SOT-523

9000+:¥0.0403

6000+:¥0.0413

3000+:¥0.042

240000

-
3-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 200mA
集射极击穿电压(Vceo) 40V
耗散功率(Pd) 150mW