MMBT3904LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0365
3,789,009
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA,50mA,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V
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MMBT3904LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1000+:¥0.0365

100+:¥0.0392

1+:¥0.0422

43722

2509
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MMBT3904LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

51000+:¥0.0375

24000+:¥0.0392

6000+:¥0.0417

3000+:¥0.0481

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50+:¥0.0888

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MMBT3904LT1G
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SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.0381

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MMBT3904LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.03962

1+:¥0.04982

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MMBT3904LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.0431

6000+:¥0.0466

3000+:¥0.049

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100+:¥0.098

20+:¥0.1519

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 200 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 40 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 5mA,50mA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 10mA,1V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 300MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3