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MMBT3904LP-7B
DIODES(美台)
3-UFDFN
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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MMBT3904LP-7B
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DIODES(美台)
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DFN-3(1x0.6)
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10000+:￥0.1546 5000+:￥0.164 1000+:￥0.1829 300+:￥0.2064 100+:￥0.2378 10+:￥0.3006 |
19610 |
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DIODES(美台)
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X1-DFN1006-3
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10000+:￥0.2 1+:￥0.22 |
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X1-DFN1006-3
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1000+:￥0.205 500+:￥0.2147 100+:￥0.2283 30+:￥0.2575 10+:￥0.2769 1+:￥0.3061 |
1116 |
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Diodes(美台)
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DFN-3(1x0.6)
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10000+:￥0.208 1+:￥0.2288 |
2026 |
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DFN-3(1x0.6)
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100000+:￥0.22 20000+:￥0.2375 10000+:￥0.25 1000+:￥0.35 100+:￥0.5 20+:￥0.8138 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 - 最大值 | 250 mW |
| 频率 - 跃迁 | 300MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 等级 | 汽车级 |
| 资质 | AEC-Q101 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 3-UFDFN |