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MMBT2369LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23-3
¥0.108
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三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):15 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 1mA,10mA,电流 - 集电极截止(最大值):400nA
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封装
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MMBT2369LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.108

1+:¥0.122

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MMBT2369LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1+:¥0.3234

1

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 200 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 15 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 400nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 40 @ 10mA,350mV
功率 - 最大值 225 mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3