MMBT2222LT1G
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.095
157,527
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)
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MMBT2222LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.095

1+:¥0.12

29353

25+
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MMBT2222LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1000+:¥0.0961

100+:¥0.1039

1+:¥0.1078

29218

2520
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MMBT2222LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.0988

1+:¥0.1248

29346

25+
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MMBT2222LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.1045

6000+:¥0.1129

3000+:¥0.1188

800+:¥0.1663

100+:¥0.2376

20+:¥0.3867

31574

-
MMBT2222LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.1291

600+:¥0.1603

200+:¥0.1901

20+:¥0.2437

7560

-
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MMBT2222LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.1425

1500+:¥0.18

200+:¥0.2865

80+:¥0.6314

29353

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3天-15天
MMBT2222LT1G
ON(安森美)
SOT-23

1200+:¥0.1508

600+:¥0.1523

100+:¥0.2292

10+:¥0.2315

1123

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MMBT2222LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.0988

1500+:¥0.1248

200+:¥0.19864

1+:¥0.59696

29814

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1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 600 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 30 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 1.6V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 10nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 150mA,10V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 250MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3