MMBT2222AQ-7-F
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.108
6,244
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):10nA
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MMBT2222AQ-7-F
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.108

1+:¥0.122

1563

5年内
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MMBT2222AQ-7-F
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.11232

1+:¥0.12688

1555

5年内
1-2工作日发货
MMBT2222AQ-7-F
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.1188

6000+:¥0.1283

3000+:¥0.135

800+:¥0.189

100+:¥0.27

20+:¥0.4394

1563

-
MMBT2222AQ-7-F
Diodes(达尔)
SOT-23

1500+:¥0.183

240+:¥0.21

1563

-
3天-15天
MMBT2222AQ-7-F
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.11232

1500+:¥0.12688

200+:¥0.1456

1+:¥0.22672

1713

--
1-3工作日
MMBT2222AQ-7-F
DIODES(美台)
SOT-23

9000+:¥0.112

3000+:¥0.115

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Diodes(达尔)
SOT-23

3000+:¥0.121

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 600 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 40 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 1V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 10nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 150mA,10V
功率 - 最大值 310 mW
频率 - 跃迁 300MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3