MMBT2222ALT3G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.073
31,528
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)
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MMBT2222ALT3G
ON(安森美)
SOT-23-3

10000+:¥0.073

1+:¥0.089

2068

25+
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MMBT2222ALT3G
ON(安森美)
SOT-23-3

10000+:¥0.07592

1+:¥0.09256

2064

25+
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MMBT2222ALT3G
安森美(onsemi)
SOT-23-3

100000+:¥0.0803

20000+:¥0.0867

10000+:¥0.0913

1000+:¥0.1278

100+:¥0.1826

20+:¥0.283

2198

-
MMBT2222ALT3G
onsemi(安森美)
SOT-23

20000+:¥0.0929

10000+:¥0.1005

1500+:¥0.1092

500+:¥0.1237

50+:¥0.1499

20000

-
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MMBT2222ALT3G
ON(安森美)
SOT23-3

4000+:¥0.1048

1000+:¥0.1187

20+:¥0.1439

3000

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 600 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 40 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 1V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 10nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 150mA,10V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 300MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3