MMBT2222ALT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0412
2,519,120
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)
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MMBT2222ALT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

51000+:¥0.0412

24000+:¥0.0431

6000+:¥0.0459

3000+:¥0.0529

500+:¥0.0621

50+:¥0.0831

291000

-
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MMBT2222ALT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.0431

1+:¥0.0541

80604

25+
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MMBT2222ALT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.04482

1+:¥0.05626

80361

25+
1-2工作日发货
MMBT2222ALT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.04529

783960

24+25+
1-3工作日发货
MMBT2222ALT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1000+:¥0.0458

100+:¥0.049

1+:¥0.053

17202

2506
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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 600 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 40 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 1V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 10nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 150mA,10V
功率 - 最大值 225 mW
频率 - 跃迁 300MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3