MMBFJ108
onsemi(安森美)
SOT-23-3
¥0.8727
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射频开关
FET 类型:N 通道,电压 - 击穿 (V(BR)GSS):25 V,不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):80 mA @ 15 V,不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):3 V @ 10 nA,电阻 - RDS(On):8 Ohms
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 25 V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) 80 mA @ 15 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) 3 V @ 10 nA
电阻 - RDS(On) 8 Ohms
功率 - 最大值 350 mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3