MJD31T4G
onsemi(安森美)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥0.91777
39,633
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.2V @ 375mA,3A,电流 - 集电极截止(最大值):50µA
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MJD31T4G
onsemi(安森美)
TO-252(DPAK)

5000+:¥0.9178

2500+:¥0.9437

500+:¥0.987

150+:¥1.239

50+:¥1.3185

5+:¥1.504

16370

-
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MJD31T4G
安森美(onsemi)
TO-252

12500+:¥1.017

2500+:¥1.13

1250+:¥1.5594

23263

-
MJD31T4G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-223,TO-220-3,TO-252,TO-252-2,TO-263

2500+:¥0.9674

300+:¥1.0545

100+:¥1.1512

30+:¥1.2673

10+:¥1.5382

1+:¥1.8574

1989

22+
1工作日
MJD31T4G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-223,TO-220-3,TO-252,TO-252-2,TO-263

20000+:¥1.0043

10000+:¥1.022

5000+:¥1.0396

2500+:¥1.1013

30000

22+
3-6工作日
MJD31T4G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-223,TO-220-3,TO-252,TO-252-2,TO-263

3000+:¥1.1334

1000+:¥1.1628

500+:¥1.1926

100+:¥1.2538

8203

-
3-6工作日

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 3 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 40 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 1.2V @ 375mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值) 50µA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 10 @ 3A,4V
功率 - 最大值 1.56 W
频率 - 跃迁 3MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63