MBT3906DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363
¥0.129
13,672
三极管(BJT)
晶体管类型:2 PNP(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA,电压 - 集射极击穿(最大值):40V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,50mA,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V
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MBT3906DW1T1G
ON(安森美)
SC-88/SC70-6/SOT-363

3000+:¥0.129

1+:¥0.146

2279

2年内
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MBT3906DW1T1G
ON(安森美)
SC-70-6(SOT-363)

3000+:¥0.13416

1+:¥0.15184

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2年内
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MBT3906DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363

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5570

-
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MBT3906DW1T1G
ON SEMICONDUCTOR
SC-88-6

1000+:¥0.2156

100+:¥0.2352

1+:¥0.2548

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MBT3906DW1T1G
ON(安森美)

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150+:¥0.338

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 2 PNP(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 200mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 40V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 400mV @ 5mA,50mA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 10mA,1V
功率 - 最大值 150mW
频率 - 跃迁 250MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363