MBT3904DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363
¥0.085041
583,293
三极管(BJT)
晶体管类型:2 NPN(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA,电压 - 集射极击穿(最大值):40V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA,50mA,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V
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MBT3904DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363

21000+:¥0.085

9000+:¥0.0918

3000+:¥0.1041

600+:¥0.1247

200+:¥0.1488

20+:¥0.1921

14320

-
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MBT3904DW1T1G
ON(安森美)
SC-88/SC70-6/SOT-363

3000+:¥0.091

1+:¥0.114

28530

24+
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MBT3904DW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.09464

1+:¥0.11856

24123

24+
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MBT3904DW1T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-363

1000+:¥0.0951

100+:¥0.1029

1+:¥0.1098

85506

2203
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MBT3904DW1T1G
ON(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.09549

367200

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 200mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 40V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 5mA,50mA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 10mA,1V
功率 - 最大值 150mW
频率 - 跃迁 300MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363